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電子元器件類 > MOS管
MOS管
  • 產品簡介
  • 技術參數
  • 特色功能

mos管是金屬(metal)-氧化物(oxid)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

1.開啟電壓VT

·開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;

·標準的N溝道MOS管,VT約為3~6V;

·通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流輸入電阻RGS

·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

·這一特性有時以流過柵極的柵流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BVDS

·在VGS=0(增強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

·ID劇增的原因有下列兩個方面:

(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

(2)漏源極間的穿通擊穿

·有些MOS管中,其溝道長度較短,不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通后,源區中的多數載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區,產生大的ID

4. 柵源擊穿電壓BVGS

·在增加柵源電壓過程中,使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS,稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5. 低頻跨導gm

·在VDS為某一固定數值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導

·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一個重要參數

·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

6. 導通電阻RON

·導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

·在飽和區,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

·由于在數字電路中 ,MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下,所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言,RON的數值在幾百歐以內

7. 極間電容

·三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

·CGS和CGD約為1~3pF

·CDS約在0.1~1pF之間

8. 低頻噪聲系數NF

·噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的

·由于它的存在,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

·噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來表示,它的單位為分貝(dB)

·這個數值越小,代表管子所產生的噪聲越小

·低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數

·場效應管的噪聲系數約為幾個分貝,它比雙極性三極管的要小

在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關電路。一般使用在CPU、AGP插槽內存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管,而內存插槽則共用了一組MOS管,MOS管一般是以兩個組成一組的形式出現主板上的。 
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